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        Cr4+:YAG晶體

        Cr4+:YAG晶體

        更新日期:2024-05-14

        訪問量:971

        廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

        生產(chǎn)地址:

        簡要描述:
        Cr4+:YAG晶體
        它在0.8-1.2μm波長范圍內(nèi)有強(qiáng)的吸收,同時具有高熔點、抗損傷、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點,常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調(diào)Q開關(guān)。

        Cr4+:YAG晶體

        Cr4+:YAG晶體

        日本進(jìn)口boya-Cr4+:YAG晶體

        Cr4+:YAG

        Cr4+:YAG晶體是一種優(yōu)秀的飽和吸收材料。它在0.8-1.2μm波長范圍內(nèi)有強(qiáng)的吸收,同時具有高熔點、抗損傷、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)點,常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調(diào)Q開關(guān)。
        Cr4+:YAG晶體特征
        ● 壽命長
        ● 高損傷閾值
        ● 高穩(wěn)定性
        ● 高可靠性
         

        基本參數(shù)

        項目參數(shù)
        化學(xué)分子式Cr4+:Y3AI5O12
        晶向[100]或[111]
        初始吸收系數(shù)0.5~6cm-1@1064nm
        初始透過率5%~95%@1064nmm
        元件尺寸直徑:3~12mm 截面:2×2~30×30mm
        尺寸公差直徑:+0,-0.02mm,厚度: +0.2,-0mm
        柱面加工精磨
        端面平行度≤10"
        端面平面度λ/10 per inch @632.8nm
        光潔度10-5(MIL-PRF-13830B)
        增透膜反射率R<0.15%@1064nm
        膜層抗激光損傷閾值>750MW/cm2

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